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Intel、三星、东芝联合开发10nm芯片工艺

编辑:畅想思维发布时间:2010-10-29 09:42:24本文热度:0次点击
Hardware 硬件

据国外媒体报道,Intel、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。

据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商Intel结成合作伙伴,并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。

据称,日本经济产业省有可能提供大约50亿日元(约合6121万美元)作为研发启动资金。参与此项目的各家企业将再提供50亿日元。

东芝和三星电子计划利用新技术制造10纳米级别的NAND闪存及其他芯片,Intel则希望用它开发更快的微处理器。

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